Tunneling Based Electronic Devices
Popular Abstract in Swedish Denna avhandling behandlar design, tillverkning, karakterisering och optimering av elektroniska komponenter alla baserade på kvantmekanisk tunnling. Tunnling är ett rent kvantmekaniskt fenomen utan någon klassisk motsvarighet, som först blir relevant då dimensionerna krymper ner i nanometerskala (en nanometer är en miljarddel's meter). Då kan elektroner ”tunnla” igenomThis thesis concerns different kinds of tunneling based devices all showing negative differential resistance. The thesis is divided in three parts, resonant tunneling transistors, Esaki diodes and coupled zero dimensional systems. The resonant tunneling transistors are GaAs-based vertical field effects transistors, based on a combination of overgrown tungsten gates and double barrier heterostruct