Fabrication and Charaterisation of Finger Gates
År 1925 patenterade den österrike-ungerska fysikern, Julius Edgar Lilenfeld, den första fälteffektstransistorn. Han beskrev i detalj komponentens design, funktioner och användningsområden. Eftersom den dåvarande teknologin var otillräcklig, blev någon tillverkning dock aldrig av. MOSFET:en uppfannas först år 1959, utav Dawon Kahnng och Martin Atalla från Bells Labs. Den typiskt kiselbaserade kompoIn this thesis were vertical NWFETs (nanowire field-effect transistors) fabricated, and their electrical properties characterised. The main goal was to minimize the parasitic capacitances that limited the high frequency performance. The nanowires consisted of InAs/InGaAs heterojunctions, and were grown on top of Si via a buffer layer. The gate contained a finger pattern that was defined via EBL (e
